LND250K1-G, MOSFETs 500V 1KOhm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006312583
- Артикул
- LND250K1-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Type:
- FET
- Brand:
- Microchip Technology
- Product:
- MOSFET Small Signal
- Fall Time:
- 450 ns
Цена по запросу
(от 110,67 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | FET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 450 ns |
| Rise Time: | 450 ns |
| Вес, г | 25 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 90 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 kOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1KОм |