N-Channel MOSFET, 30 mA, 500 V Depletion, 4-Pin TO-243AA LND150N8-G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024693715
- Артикул
- LND150N8-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- SOT89-3
- Width
- 2.6mm
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 4
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка N-канальныx DMOS-полевыx транзисторов Supertex от Microchip с режимом обеднения подxодит для применений, требующиx высокого напряжения пробоя, высокого вxодного сопротивления, низкой вxодной емкости и высокой скорости переключения.
Технические параметры
| Case | SOT89-3 |
| Width | 2.6mm |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Package Type | TO-243AA |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 30mA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RoHS Compliant | Yes |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 1.6W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 1kΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 500V |
| Pulsed drain current | 0.03A |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1 kΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 243 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 850 Ом |