LND150N3-G-P003, MOSFETs DepletionMode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006334228
- Артикул
- LND150N3-G-P003
- Бренд
- Microchip Technology
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 109 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 500 В 30 мА (Tj) 740 МВт (Ta) Со сквозным отверстием TO-92-3
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Power Dissipation (Max) | 740mW(Ta) |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30mA(Tj) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.74 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |