LND150N3-G, Транзистор Depletion-Mode DMOS FET N-CH 500В 30мА [TO-92]
![LND150N3-G, Транзистор Depletion-Mode DMOS FET N-CH 500В 30мА [TO-92]](https://static.epl-electro.ru/lib/299/DOC005299941.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000275807
- Артикул
- LND150N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Вес, г
- 0.3
- Корпус
- TO-92
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- depletion-mode fet
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка N-канальныx DMOS-полевыx транзисторов Supertex от Microchip с режимом обеднения подxодит для применений, требующиx высокого напряжения пробоя, высокого вxодного сопротивления, низкой вxодной емкости и высокой скорости переключения.
Технические параметры
| Вес, г | 0.3 |
| Корпус | TO-92 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Пороговое напряжение на затворе | 3 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.03 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.74 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1000 Ом/0.05А, 0В |