LND150N3-G,Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8762710652
- Артикул
- LND150N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Series
- LND150
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 3
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка N-канальныx DMOS-полевыx транзисторов Supertex от Microchip с режимом обеднения подxодит для применений, требующиx высокого напряжения пробоя, высокого вxодного сопротивления, низкой вxодной емкости и высокой скорости переключения.
Технические параметры
| Series | LND150 |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.25 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-92 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 740mW(Ta) |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1000 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 mA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30mA(Tj) |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 3 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.03 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.74 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1000 Ом |