LND150 N-Channel MOSFET Transistor, 30 mA, 500 V Depletion, 3-Pin TO-92 LND150N3-G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023564038
- Артикул
- LND150N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Series
- LND150
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 3
- Vgs (Max)
- ±20V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой LND150N3-G от производителя MICROCHIP – надежный компонент для разработки электронных схем. Используемый в монтаже THT, этот транзистор легко устанавливается в печатные платы. С током стока 0,03 А и напряжением сток-исток в 500 В, он способен управлять электрическими нагрузками с высокой эффективностью. Мощность транзистора составляет 0,74 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – 1 000 Ом, что обеспечивает его стабильную работу. Тип N-MOSFET указывает на то, что устройство имеет n-канальный металл-оксидный полупроводниковый транзистор. Компактный корпус TO92 обеспечивает удобство интеграции в различные устройства. В вашем проекте LND150N3G станет ключевым элементом, обеспечивая долговечность и надежность. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 0.03 Напряжение сток-исток, В 500 Мощность, Вт 0.74 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 1000 Корпус TO92
Технические параметры
| Series | LND150 |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-92 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Power Dissipation (Max) | 740mW(Ta) |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1000 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 mA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30mA(Tj) |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.03 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.74 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |