LND150K1-G, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 0,013А, 360мВт, SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029764891
- Артикул
- LND150K1-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- SOT23-3
- Type
- N Channel
- Brand:
- Microchip Technology
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 152 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
500 В 13 мА 1 коМ при 0 В, 500uA 360 МВт N-канальные МОП-транзисторы SOT-23 ROHS
Технические параметры
| Case | SOT23-3 |
| Type | N Channel |
| Brand: | Microchip Technology |
| Mounting | SMD |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 1.3 us |
| Rise Time: | 0.45 us |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT23-3 |
| Channel Mode: | Depletion |
| Drain current | 13mA |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 0.36W |
| Product Category: | MOSFET |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 1kΩ |
| Drain-source voltage | 500V |
| Pulsed drain current | 0.03A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 360mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 0.09 us |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 10pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 0.1 us |
| Continuous Drain Current (Id) | 13mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 kOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.013 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1kΩ@0V, 500uA |