Моя заявка (0)
LND01K1-G, Trans MOSFET N-CH Si 9V 0.33A 5-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002187329
Артикул
LND01K1-G
Бренд
Microchip Technology
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
5
Automotive
No
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Lateral N-Ch МОП-транзистор Depletion-Mode

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count5
AutomotiveNo
Вес, г1
СерияLND01
Channel ModeDepletion
Channel TypeN
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Supplier PackageSOT-23
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Standard Package NameSOT-23
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада6.4 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаMicrochip Technology
Упаковка / блокSOT-23-5
Operating Temperature - (??C)125
Канальный режимDepletion
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания11 ns
Maximum Power Dissipation - (mW)360
Maximum Gate Source Voltage - (V)0.6
Maximum Drain Source Voltage - (V)9
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Maximum Continuous Drain Current - (A)0.33
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)46@5V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)1400@0V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности360 mW
Id - непрерывный ток утечки330 mA
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток600 mV
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток9 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальная рабочая температура+ 125 C
Типичное время задержки выключения1 ns
Типичное время задержки при включении3.8 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В9
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.33
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация