LN7612HDT1WG, 100V 55A 8.5m-@10V,1A 2W 3V@250uA 4.9pF@50V N Channel 1950pF@50V 35nC@10V -55-~+150-@(Tj) DFN5060-8B MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015792008
- Артикул
- LN7612HDT1WG
- Бренд
- Leshan Radio Co
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.19
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 74,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 55 А 8.5mOhm@10V,12 Вт 4 В при 250 мкА N-канальные МОП-транзисторы DFN5060-8B, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.19 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 35nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.95nF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 55A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.9pF@50V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.5mΩ@10V, 1A |