LET9045, Trans RF MOSFET N-CH 80V 9A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001054106
- Артикул
- LET9045
- Бренд
- STMicroelectronics
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 8 770 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans RF FET N-CH 65V 5A 3-контактный PowerSO-10RF (формованный вывод) Трубка
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum VSWR | 10(Min) |
| Корпус | POWERSO-10RF |
| Configuration | Single |
| Output Power (W) | 59(Typ) |
| Supplier Package | PowerSO-10RF(Formed lead) |
| Process Technology | LDMOS |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | PowerSO-10RF(Formed lead) |
| Особенности | высокочастотный |
| Maximum Frequency (MHz) | 1000 |
| Typical Power Gain (dB) | 17.5 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Drain Efficiency (%) | 65 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 79000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 15 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 65 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 165 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5 |
| Typical Forward Transconductance (S) | 2.5(Min) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 59 28V |
| Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 28 28V |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 0.8 28V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |