LET20030C, Trans RF MOSFET N-CH 80V 9A 3-Pin Case M-243 Loose
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001349438
- Артикул
- LET20030C
- Бренд
- STMicroelectronics
- HTS
- 8541.29.00.95
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
- Mounting
- Screw
Цена по запросу
(от 14 940 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Screw |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Loose |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum VSWR | 10(Min) |
| Configuration | Single |
| Package Width | 6.1(Max) |
| Package Height | 4.45(Max) |
| Package Length | 20.57(Max) |
| Output Power (W) | 45(Typ) |
| Supplier Package | Case M-243 |
| Mode of Operation | IS-97 CDMA |
| Process Technology | LDMOS |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высокочастотный |
| Maximum Frequency (MHz) | 2000 |
| Typical Power Gain (dB) | 13.9 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Drain Efficiency (%) | 50 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 108000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 15 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 80 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
| Typical Forward Transconductance (S) | 2.5(Min) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 58@28V |
| Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 29@28V |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 0.8@28V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |