LBSS84WT1G, МОП-Транзистор 50 В, 130 мА, 5-10 В, 100 мА, 225мВт, 2 В, 250мкА, P-канальные МОП-Транзистор SC-69
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015772017
- Артикул
- LBSS84WT1G
- Бренд
- Leshan Radio Co
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.02
- Структура
- P-Channel
- Transistor Polarity
- P Channel
Цена по запросу
(от 5,60 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
50 В 130 мА, 5 ОМ при 10 В, 100 мА при 225 МВт, 2 В при 250uA, P-канальные МОП-транзисторы SC-70 ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.02 |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 130mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5О© @ 100mA,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 225mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 130mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.225 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5Ω@10V, 100mA |