LBSS138WT1G, 50V 200mA 3.5-@5V,200mA 150mW 1.5V@1mA N Channel SC-70 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015764564
- Артикул
- LBSS138WT1G
- Бренд
- Leshan Radio Co
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.02
- Структура
- N-Channel
- Transistor Polarity
- N Channel
Цена по запросу
(от 6,67 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
50 В 200 мА 3.5Ohm@5V,200 mA 150 МВт 1,5 В N-канальные МОП-транзисторы SC-70, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.02 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V @ 1mA |
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5О© @ 200mA,5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 150mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 200mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.8…1.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5Ω@10V, 500mA |