Моя заявка (0)

L2SA812RLT1G, 100nA 50V 200mW 150mA 180MHz 180mV@100mA,10mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3L BIpolar TransIstors - BJT

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015798571
Артикул
L2SA812RLT1G
Бренд
Leshan Radio Co
Вес, г
0.04
Корпус
SOT-23-3(TO-236)
Transistor Type
PNP
Структура
pnp
Цена по запросу
(от 2,60 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы 50 В 200 МВт 150 мА PNP SOT-23 - BJT ROHS

Технические параметры

Вес, г0.04
КорпусSOT-23-3(TO-236)
Transistor TypePNP
Структураpnp
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)150mA
Pd - Power Dissipation200mW
Power Dissipation (Pd)200mW
Transition Frequency (fT)180MHz
Maximum DC Collector Current150mA
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage50V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)180mV@100mA, 10mA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц180

Техническая документация