Моя заявка (0)

L2N7002DW1T1G, 60V 115mA 7.5-@10V,500mA 380mW 2V@250uA 2 N-Channel SC-88 MOSFETs

L2N7002DW1T1G, 60V 115mA 7.5-@10V,500mA 380mW 2V@250uA 2 N-Channel SC-88 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015771372
Артикул
L2N7002DW1T1G
Бренд
Leshan Radio Co
Type
2 N-Channel
Packaging
Tape и Reel(TR)
Вес, г
0.61
Manufacturer
LRC
Цена по запросу
(от 4,41 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 В 115 мА 7.5Ohm@10V,500 мА 380 МВт, 2 В при 250 мкА, нулевые МОП-транзисторы SOT-363, соответствующие требованиям ROHS

Технические параметры

Type2 N-Channel
PackagingTape и Reel(TR)
Вес, г0.61
ManufacturerLRC
КорпусSC-88
Package / CaseSC-88
Структура2 N-Channel
Transistor Polarity2 N Channel(Double)
Power Dissipation (Pd)200mW
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage2V 250uA
Total Gate Charge (Qg@Vgs)1.12nC
Input Capacitance (Ciss@Vds)30.5pF
Continuous Drain Current (Id)300mA
Power Dissipation-Max (Ta=25°C)380mW
Rds On - Drain-Source Resistance7.5Ω 500mA, 10V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage-60V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C115mA(Tc)
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)4.1pF
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.115
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.38
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.5Ω@10V, 500mA

Техническая документация