KX5P02, 20V 5A 2W 50m-@10V,5A 900mV@250uA P Channel SOIC-8 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015835031
- Артикул
- KX5P02
- Бренд
- KEXIN
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.21
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 12,98 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20V 5A 2W 50 Мом при 10 В, 5A 900 мВ при 250uA P-канальные SOIC-8 МОП-транзисторов ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.21 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 900mV @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 50mО© @ 5A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 5A |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 50mΩ@10V, 5A |