KTD1302-AT/P, Транзистор биполярный BJT 100 нА 20 В 625мВт 200 @ 4 мА, 2 В 300 мА 60 МГц 250 мВ @ 100 мА, 10 мА NPN +150-@(Tj) TO-92-3
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015866716
- Артикул
- KTD1302-AT/P
- Бренд
- Korea Electronics
- Packaging
- Tape и Reel(TR)
- Вес, г
- 0.31
- Manufacturer
- KEC Semicon
- Корпус
- TO-92
Цена по запросу
(от 13,55 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20В 625 МВт 200 при 4 мА, 2В 300 мА на биполярныx транзистораx NPN TO-92-3 - BJT ROHS
Технические параметры
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Вес, г | 0.31 |
| Manufacturer | KEC Semicon |
| Корпус | TO-92 |
| Package / Case | TO-92_Forming1 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 300mA |
| Pd - Power Dissipation | 625mW |
| Power Dissipation (Pd) | 625mW |
| Transition Frequency (fT) | 60MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@4mA, 2V |
| Maximum DC Collector Current | 300mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 20V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 625мВт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 60 |