KTC9012S-H-RTK/P, 100nA 30V 350mW 96@50mA,1V 500mA 150MHz 100mV@100mA,10mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015847873
- Артикул
- KTC9012S-H-RTK/P
- Бренд
- Korea Electronics
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- SOT-23
- Transistor Type
- PNP
- Структура
- pnp
Цена по запросу
(от 2,96 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT-23 |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transition Frequency (fT) | 150MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 96@50mA, 1V |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@100mA, 10mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 144 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 40 |