KTC8550S-D-RTK/P, Транзистор биполярный BJT 50 нА 30 В 350мВт 100 при 50 мА, 1 В 800 мА 120 МГц 500 мВ при 500 мА, 50 мА PNP +150-@(Tj) SOT-
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033183993
- Артикул
- KTC8550S-D-RTK/P
- Бренд
- Korea Electronics
- Вес, г
- 0.04
- Transistor Type
- PNP
- Структура
- pnp
- Operating Temperature
- -
Цена по запросу
(от 2,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор биполярный BJT 50 нА 30 В 350мВт 100 при 50 мА, 1 В 800 мА 120 МГц 500 мВ при 500 мА, 50 мА PNP +150-@(Tj) SOT-23
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 800mA |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@50mA, 1V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA, 50mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 350мВт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 120 |