Моя заявка (0)

KTC8050S-D-RTK/P, 50nA 30V 350mW 100@50mA,1V 800mA 120MHz 500mV@500mA,20mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

KTC8050S-D-RTK/P, 50nA 30V 350mW 100@50mA,1V 800mA 120MHz 500mV@500mA,20mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015839821
Артикул
KTC8050S-D-RTK/P
Бренд
Korea Electronics
Вес, г
0.04
Корпус
SOT-23
Transistor Type
NPN
Структура
npn
Цена по запросу
(от 3,67 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, NPN, 35 В, 0.8 А, 0.625 Вт

Технические параметры

Вес, г0.04
КорпусSOT-23
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Pd - Power Dissipation350mW
Maximum DC Collector Current800mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage30V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.35
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин150
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В35

Техническая документация