KST10MTF, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004835304
- Артикул
- KST10MTF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- NPN
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Series
- KST10
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 7,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN; биполярный; RF; 25В; 350мВт; SOT23-3L
Технические параметры
| Type | NPN |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Series | KST10 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.92 mm |
| Серия | KST10 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 0.93 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | KST10MTF_NL |
| DC Current Gain | 60 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Power Dissipation | 0.35(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Emitter-Base Voltage | 3(V) |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector-Base Voltage | 30(V) |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 650 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 3 V |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 30 V |
| Maximum Transition Frequency | 650(MIN) |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 60 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 25 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Другие названия товара № | KST10MTF_NL |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 650 MHz |