KSP92TA PNP Transistor, -500 mA, -300 V, 3-Pin TO-92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014489292
- Артикул
- KSP92TA
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- -
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Широкий ассортимент транзисторов с биполярным переxодом (BJT) обеспечивает комплексные решения для различныx применений в сxемотеxнике.
Технические параметры
| Series | - |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.7 mm |
| Серия | KSP92 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625mW |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-92 |
| Высота | 4.7 mm |
| Корпус | TO92-3 |
| Ширина | 3.93 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(Formed Leads) |
| Transistor Type | PNP |
| Base Part Number | KSP92 |
| Упаковка | Ammo Pack |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Maximum DC Collector Current | 500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Maximum Collector Base Voltage | -300 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250nA(ICBO) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 300 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 30mA, 10V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |