KSP2907ATA, Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004835296
- Артикул
- KSP2907ATA
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Version
- PNP
- Assembly
- THT
- Military
- No
- Enclosure
- TO-92
Цена по запросу
(от 20,84 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Технические параметры
| Version | PNP |
| Assembly | THT |
| Military | No |
| Enclosure | TO-92 |
| Frequency | 100 MHz |
| Packaging | Ammo |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.24 |
| Длина | 4.7 mm |
| Серия | KSP2907A |
| Package Type | TO-92 |
| Высота | 4.7 mm |
| Корпус | TO-92_Formed Leads |
| Ширина | 3.93 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | PNP |
| Supplier Package | TO-92 |
| Упаковка | Ammo Pack |
| Collector current | -600 mA |
| Power dissipation | 0.625 W |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | TO-92 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Transit frequency fTmin | 250 MHz |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Maximum DC Collector Current | 600 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Collector Base Voltage | -60 V |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 625 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum DC Collector Current - (A) | 0.6 |
| Maximum Emitter Base Voltage - (V) | 5 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector Base Voltage - (V) | 60 |
| Maximum Transition Frequency - (MHz) | 250(Min) |
| Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 60 |
| max.voltage between collector and base Vcbo | -60 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | -60 V |
| Другие названия товара № | KSP2907ATA_NL |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э макс | 300 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 60 |
Техническая документация
Declaration of Conformity - DE Declaration of Conformitypdf, 79 КБDeclaration of Conformity - EN Declaration of Conformitypdf, 78 КБKSP2907A Datasheetpdf, 36 КБTechnical Data Sheet - EN/DE Technical Data Sheetpdf, 869 КБДокументацияpdf, 153 КБТехническая информацияpdf, 306 КБТехническая информацияpdf, 307 КБТехническая информацияpdf, 147 КБKSP2907Apdf, 290 КБ