KSP2907ABU, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001286009
- Артикул
- KSP2907ABU
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.18
- Длина
- 4.7 mm
- Серия
- KSP2907A
- Высота
- 4.7 mm
Цена по запросу
(от 59,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Технические параметры
| Вес, г | 0.18 |
| Длина | 4.7 mm |
| Серия | KSP2907A |
| Высота | 4.7 mm |
| Ширина | 3.93 mm |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |