Моя заявка (0)

KSP13BU, Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,5А, 625мВт, TO92

KSP13BU, Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,5А, 625мВт, TO92

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062867164
Артикул
KSP13BU
Бренд
ON Semiconductor***
Width
3.86mm
Mounting
Through Hole
Polarity
NPN
Packaging
Bag
Цена по запросу
(от 22,97 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Широкий ассортимент транзисторов с биполярным переxодом (BJT) обеспечивает комплексные решения для различныx применений в сxемотеxнике.

Технические параметры

Width3.86mm
MountingThrough Hole
PolarityNPN
PackagingBag
Pin Count3
Вес, г0.21
Package TypeTO-92
Rad HardenedNo
КорпусTO-92 | to-92
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
Power Dissipation0.625(W)
Number of Elements1
Структураnpn
Emitter-Base Voltage10(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Collector Current (DC)0.5(A)
Collector-Base Voltage30(V)
Minimum DC Current Gain5000
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation625 mW
Number of Elements per Chip1
Maximum Emitter Base Voltage10 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Collector Base Voltage30 V
Maximum Collector Cut-off Current0.0001mA
Maximum Collector Emitter Voltage30 V
Maximum Continuous Collector Current500 mA
Operating Temperature ClassificationMilitary
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт625мВт | 0.625
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин1000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц125
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30

Техническая документация