KSP10BU, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004835291
- Артикул
- KSP10BU
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина
- 4.7 mm
- Серия
- KSP10
Цена по запросу
(от 12,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.7 mm |
| Серия | KSP10 |
| Package Type | TO-92 |
| Высота | 4.7 mm |
| Ширина | 3.93 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Bulk |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Maximum DC Collector Current | 50 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 3 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 25 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Другие названия товара № | KSP10BU_NL |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 650 MHz |