KSD880YTU, Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002307011
- Артикул
- KSD880YTU
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Длина
- 10.1 mm (Max)
- Серия
- KSD880
- Высота
- 9.4 mm (Max)
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.1 mm (Max) |
| Серия | KSD880 |
| Высота | 9.4 mm (Max) |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.7 mm (Max) |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 30Вт |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | Through Hole |
| DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Continuous Collector Current | 3А |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
| Линейка Продукции | KSD880 |
| Частота Перехода ft | 3МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |