Моя заявка (0)

KSD880O, Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag

KSD880O, Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002308821
Артикул
KSD880O
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Длина
10.1 mm (Max)
Серия
KSD880
Высота
9.4 mm (Max)
Цена по запросу
(от 73 ₽)
Минимальный заказ: 420 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil

Технические параметры

Вес, г1
Длина10.1 mm (Max)
СерияKSD880
Высота9.4 mm (Max)
КорпусTO-220
Ширина4.7 mm (Max)
УпаковкаBulk
Структураnpn
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-220-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности30 W
Другие названия товара №KSD880O_NL
Размер фабричной упаковки1200
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток3 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)3 MHz

Техническая документация