Моя заявка (0)

KSD5041RTA, 100nA 20V 750mW 340@500mA,2V 5A 150MHz 1V@3A,100mA NPN +150°C@(Tj) TO-92-3 BIpolar TransIstors - BJT

KSD5041RTA, 100nA 20V 750mW 340@500mA,2V 5A 150MHz 1V@3A,100mA NPN +150°C@(Tj) TO-92-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062500979
Артикул
KSD5041RTA
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.31
Длина
4.7 mm
Серия
KSD5041
Цена по запросу
(от 45,83 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN/20V/5A/180-600

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.31
Длина4.7 mm
СерияKSD5041
Package TypeTO-92
Высота4.7 mm
КорпусTO-92
Ширина3.93 mm
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
УпаковкаAmmo Pack
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Minimum DC Current Gain340
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation750 mW
Maximum Operating Frequency1 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-92-3 Kinked Lead
Maximum DC Collector Current5 A
Maximum Emitter Base Voltage7 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage40 V
Maximum Collector Emitter Voltage20 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности750 mW
Размер фабричной упаковки2000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.20 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц150
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)180
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация