Моя заявка (0)

KSD471ACYTA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 1 A 130MHz 800 mW Through Hole TO-92-3

KSD471ACYTA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 1 A 130MHz 800 mW Through Hole TO-92-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063918283
Артикул
KSD471ACYTA
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.05
Длина
4.7 mm
Серия
KSD471A
Высота
4.7 mm
Цена по запросу
(от 40,90 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Transistor

Технические параметры

Вес, г0.05
Длина4.7 mm
СерияKSD471A
Высота4.7 mm
КорпусTO-92
Ширина3.93 mm
УпаковкаAmmo Pack
Структураnpn
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-92-3 Kinked Lead
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности800 mW
Другие названия товара №KSD471ACYTA_NL
Размер фабричной упаковки2000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц130
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)130 MHz

Техническая документация