Моя заявка (0)

KSD2012GTU, 60V 25W 3A NPN TO-220F-3 Bipolar Transistors - BJT

KSD2012GTU, 60V 25W 3A NPN TO-220F-3 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017626270
Артикул
KSD2012GTU
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
2.96
Package Type
TO-220F
Корпус
TO-220
Цена по запросу
(от 520 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Широкий ассортимент транзисторов с биполярным переxодом (BJT) обеспечивает комплексные решения для различныx применений в сxемотеxнике.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г2.96
Package TypeTO-220F
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Minimum DC Current Gain150
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation25 W
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current3 A
Maximum Emitter Base Voltage7 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage60 V
Maximum Collector Emitter Voltage60 V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3

Техническая документация