KSD2012GTU,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000285051
- Артикул
- KSD2012GTU
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 3.005
- Package Type
- TO-220F
- Корпус
- TO-220
Цена по запросу
(от 185 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Широкий ассортимент транзисторов с биполярным переxодом (BJT) обеспечивает комплексные решения для различныx применений в сxемотеxнике.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3.005 |
| Package Type | TO-220F |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Minimum DC Current Gain | 150 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |