KSD1691YS, Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004835275
- Артикул
- KSD1691YS
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.42
- Длина
- 8 mm
- Серия
- KSD1691
- Высота
- 1.5 mm
Цена по запросу
(от 94,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Технические параметры
| Вес, г | 1.42 |
| Длина | 8 mm |
| Серия | KSD1691 |
| Высота | 1.5 mm |
| Корпус | to-126 |
| Ширина | 3.25 mm |
| Упаковка | Bulk |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-126-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1300 mW |
| Другие названия товара № | KSD1691YS_NL |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |