KSD1616AGBU, 100nA 60V 750mW 200@100mA,2V 1A 160MHz NPN 150mV@1A,50mA +150°C@(Tj) TO-92-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044324641
- Артикул
- KSD1616AGBU
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- KSD1616A
- Category
- Bipolar Power
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 53,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР, БИПОЛЯРНЫЙ, NPN, 60 В, TO-226AA-3; Полярность транзистора:NPN; Напряжение коллектор-эмиттер, V(br)ceo:60 В; Частота переxода ft: 160 МГц; Рассеиваемая мощность Pd:750 МВт; Ток коллектора постоянного тока:1 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:200hFE; Тип корпуса транзистора: TO-226AA; Количество контактов:3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции:-; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC:Без SVHC (27 июня 2018 г.)
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | KSD1616A |
| Category | Bipolar Power |
| Mounting | Through Hole |
| Frequency | 160(MHz) |
| Packaging | Bag |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Bulk |
| Вес, г | 0.29 |
| Technology: | Si |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-92 |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-92 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| DC Current Gain | 200@100MA@2V |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Part # Aliases: | KSD1616AGBU_NL |
| Power Dissipation | 0.75(W) |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Emitter-Base Voltage | 6(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Collector Current (DC) | 1(A) |
| Collector-Base Voltage | 120(V) |
| Pd - Power Dissipation: | 750 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 600 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 160 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 120 V |
| Continuous Collector Current: | 1 A |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 135 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 150 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 160 |