KSC5026MOS, Trans GP BJT NPN 800V 1.5A 20000mW 3-Pin TO-126 Bag
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002307002
- Артикул
- KSC5026MOS
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.05
- Power - Max
- 20 W
- Корпус
- to-126
- Mounting Type
- Through Hole
Цена по запросу
(от 108 ₽)
Минимальный заказ: 700 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный (BJT) транзистор NPN 800 В 1,5 А 15 МГц 20 Вт со сквозным отверстием TO-126-3
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Power - Max | 20 W |
| Корпус | to-126 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Frequency - Transition | 15MHz |
| Supplier Device Package | TO-126-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 150mA, 750mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA(ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 800 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |