KSC2383YTA, Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004835261
- Артикул
- KSC2383YTA
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- KSC2383
- Category
- Bipolar Small Signal
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 44,35 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 160В, 1А, 900мВт, TO92 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | KSC2383 |
| Category | Bipolar Small Signal |
| Mounting | Through Hole |
| Frequency | 100(MHz) |
| Packaging | FAN-FOLD |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Ammo Pack |
| Вес, г | 0.37 |
| Technology: | Si |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-92L |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-92L |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| DC Current Gain | 160 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Part # Aliases: | KSC2383YTA_NL |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 0.9(W) |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Emitter-Base Voltage | 6(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Collector Current (DC) | 1(A) |
| Collector-Base Voltage | 160(V) |
| Minimum DC Current Gain | 100, 160 |
| Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 320 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 900 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 160 V |
| Continuous Collector Current: | 1 A |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 160 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 160 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 160 V |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.9 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 160 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 160 |