Моя заявка (0)

KSC1008CYTA, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Through Hole

KSC1008CYTA, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003132994
Артикул
KSC1008CYTA
Бренд
ON Semiconductor***
Case
TO92 Formed
Mounting
THT
Frequency
50MHz
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание 60V 800mW 700mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

CaseTO92 Formed
MountingTHT
Frequency50MHz
Pin Count3
Вес, г2
Длина4.7 mm
СерияKSC1008
Current gain120…240
Package TypeTO-92
Polarisationbipolar
Высота4.7 mm
КорпусTO-92
Ширина3.93 mm
Mounting TypeThrough Hole
Kind of packageAmmo Pack
Transistor TypeNPN
УпаковкаAmmo Pack
Collector current0.7A
Power Dissipation800мВт
Type of transistorNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
DC Current Gain hFE Min120hFE
Minimum DC Current Gain120
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-emitter voltage60V
Maximum Power Dissipation800 mW
Maximum Operating Frequency1 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-92-3 Kinked Lead
Continuous Collector Current700мА
Maximum DC Collector Current700 mA
Maximum Emitter Base Voltage8 V
Collector Emitter Voltage Max60В
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage80 V
DC Усиление Тока hFE120hFE
Maximum Collector Emitter Voltage60 V
Линейка ПродукцииKSC1008
Частота Перехода ft30МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Полярность ТранзистораNPN
Pd - рассеивание мощности800 mW
Другие названия товара №KSC1008CYTA_NL
Размер фабричной упаковки2000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-92
Напряжение эмиттер-база (VEBO)8 V
Непрерывный коллекторный ток0.7 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.7 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.2 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.400
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)50 MHz

Техническая документация