Моя заявка (0)
KSB772YSTU PNP Transistor, -3 A, -30 V, 3-Pin TO-126

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023416679
Артикул
KSB772YSTU
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.05
Длина
8 mm
Серия
KSB772
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Минимальный заказ: 60 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Широкий ассортимент транзисторов с биполярным переxодом (BJT) обеспечивает комплексные решения для различныx применений в сxемотеxнике.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.05
Длина8 mm
СерияKSB772
Package TypeTO-126
Высота11 mm
Корпусto-126
Ширина3.25 mm
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypePNP
УпаковкаTube
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Minimum DC Current Gain160
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation10 W
Maximum Operating Frequency80 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-126-3
Maximum DC Collector Current-3 A
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-40 V
Maximum Collector Emitter Voltage-30 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности10 W
Другие названия товара №KSB772YSTU_NL
Размер фабричной упаковки1920
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток3 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.400
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)80 MHz

Техническая документация