KSB772YS, Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1W; TO126ISO
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8042955742
- Артикул
- KSB772YS
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.2
- Длина
- 8 mm
- Серия
- KSB772
- Высота
- 11 mm
Цена по запросу
(от 69,88 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Длина | 8 mm |
| Серия | KSB772 |
| Высота | 11 mm |
| Корпус | to-126 |
| Ширина | 3.25 mm |
| Упаковка | Bulk |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-126-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 10 W |
| Другие названия товара № | KSB772YS_NL |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |