Моя заявка (0)

KSA1281YTA, Транзистор биполярный BJT 100 нА 50 В 1 Вт 120 при 500 мА, 2 В 2 А 100 МГц 500 мВ при 1 А, 50 мА PNP +150°C @ (Tj) TO-92-3

KSA1281YTA, Транзистор биполярный BJT 100 нА 50 В 1 Вт 120 при 500 мА, 2 В 2 А 100 МГц 500 мВ при 1 А, 50 мА PNP +150°C @ (Tj) TO-92-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048171540
Артикул
KSA1281YTA
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.47
Длина
4.9 mm
Серия
KSA1281
Высота
8 mm
Цена по запросу
(от 82,02 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP/50V/2A

Технические параметры

Вес, г0.47
Длина4.9 mm
СерияKSA1281
Высота8 mm
КорпусTO-92
Ширина3.9 mm
Transistor TypePNP
УпаковкаAmmo Pack
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Collector Current (Ic)2A
Power Dissipation (Pd)1W
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)100MHz
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-92-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)120@500mA, 2V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1 W
Другие названия товара №KSA1281YTA_NL
Размер фабричной упаковки2000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@1A, 50mA
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.240
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)70
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация