Моя заявка (0)

KSA1142OSTU, Trans GP BJT PNP 180V 0.1A 8000mW 3-Pin TO-126 Tube

KSA1142OSTU, Trans GP BJT PNP 180V 0.1A 8000mW 3-Pin TO-126 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002309539
Артикул
KSA1142OSTU
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
2
Длина
8 mm
Серия
KSA1142
Высота
11 mm
Цена по запросу
(от 80 ₽)
Минимальный заказ: 1165 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

Технические параметры

Вес, г2
Длина8 mm
СерияKSA1142
Высота11 mm
Корпусto-126
Ширина3.25 mm
УпаковкаTube
Power Dissipation8Вт
Структураpnp
Вид монтажаThrough Hole
DC Current Gain hFE Min100hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-126-3
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max180В
DC Усиление Тока hFE100hFE
Линейка ПродукцииKSA1142
Частота Перехода ft180МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности8000 mW
Размер фабричной упаковки1920
Стиль Корпуса ТранзистораTO-126
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)180 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.180 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.16 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.320
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)180 MHz

Техническая документация