KIA840SD, 500V 8A 100W 900m-@10V,4A 4V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015758242
- Артикул
- KIA840SD
- Бренд
- KIA Semicon Tech
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.32
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 36,15 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
500 В 8A 100 Вт 900 Мом при 10 В, 4A 4 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы TO-252-2 (DPAK) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.32 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 100W |
| Особенности | высоковольтный |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 900mО© @ 4A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 100W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 8A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 900mΩ@10V, 4A |