KIA50N03BD, 30V 50A 60W 9.9m-@10V,15A 3V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015798965
- Артикул
- KIA50N03BD
- Бренд
- KIA Semicon Tech
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.29
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 23,47 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 50 А 60 Вт 9.9mOhm@10V,15A 3 В при 250 мкА N-канальный TO-252-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.29 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 60W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9.9mО© @ 15A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 60W(Tc) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 50A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.9mΩ@10V, 15A |