JMTQ55P02A, 20V 55A 6.6m-@4.5V,15A 38W 650mV@250uA 459pF@10V P Channel 4600pF@10V 46nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069651416
- Артикул
- JMTQ55P02A
- Бренд
- Jiangsu JieJie Microelectronics
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.13
- Структура
- P-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 19,13 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 55 А 6.6mOhm@4.5V,15 38 Вт, 650 мВ при 250 мкА, P-канальные полевые транзисторы PDFN-8(3.3x3.3), соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.13 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 38W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 46nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.6nF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 55A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 459pF@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 650mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.6mΩ@4.5V, 15A |