JMTQ35N06A, 60V 35A 41W 12m-@10V,30A 1.6V@250uA 124pF@25V N Channel 2900pF@25V 50nC@10V -55-~+150-@(Tj) PDFN-8L(3.3x3.3) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015913684
- Артикул
- JMTQ35N06A
- Бренд
- Jiangsu JieJie Microelectronics
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.12
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 26,09 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 35 А 41 Вт 12 Мом при 10 В, 30 А 1.6V@250uA N-канальные МОП-транзисторы PDFN-8L(3.3x3.3) соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.12 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 41W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 50nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.9nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 35A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 124pF@25V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V, 30A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 41 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12mΩ@10V, 30A |