JANTXV2N5794, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 600mA 600mW Through Hole TO-78-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064103924
- Артикул
- JANTXV2N5794
- Бренд
- Microchip Technology
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Diameter
- 9.4(Max)mm
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 106 400 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Сумка Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 600 МВт с 6-контактным разъемом TO-78
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Diameter | 9.4(Max)mm |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Bag |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Dual |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | TO-78 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | TO |
| Minimum DC Current Gain | 35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@300mA@10V|50@150mA@1V |
| Supplier Temperature Grade | Military |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 600 |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 6 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.6 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 75 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@15mA@150mA|1.8@30mA@300mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@15mA@150mA|0.9@30mA@300mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 600 |