Моя заявка (0)

Jantxv2N2907A, Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT

Jantxv2N2907A, Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004810064
Артикул
Jantxv2N2907A
Бренд
Microchip Technology
Вес, г
1
Упаковка:
Bulk
Структура
pnp
Технология:
Si
Цена по запросу
(от 862 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT BJTs

Технические параметры

Вес, г1
Упаковка:Bulk
Структураpnp
Технология:Si
Вид монтажа:Through Hole
Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
Конфигурация:Single
Подкатегория:Transistors
Производитель:Microchip
Торговая марка:Microchip Technology
Упаковка / блок:TO-18-3
Категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистора:PNP
Pd - рассеивание мощности:500 mW
Размер фабричной упаковки:1
Напряжение эмиттер-база (VEBO):5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO):60 V
Минимальная рабочая температура:- 65 C
Максимальная рабочая температура:+ 200 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)600
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:60 V
Максимальный постоянный ток коллектора:600 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:400 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:175 at 1 mA, 10 VDC
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):40 at 1 mA, 10 VDC

Техническая документация