JANTXV2N2222A, 50V 500mW 100@150mA,10V 800mA NPN TO-206AA Bipolar (BJT)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049272684
- Артикул
- JANTXV2N2222A
- Бренд
- Microchip Technology
- PPAP
- No
- RoHS
- N
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Not Compliant
Цена по запросу
(от 2 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Технические параметры
| PPAP | No |
| RoHS | N |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Not Compliant |
| Diameter | 5.84(Max) |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Bag |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | TO-18 |
| Упаковка | Bulk |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-206-AA |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Supplier Temperature Grade | Military |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-18-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.8 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 75 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2 15mA 150mA|2 50mA 500mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3 15mA 150mA|1 50mA 500mA |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 325 at 1 mA at 10 VDC |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 at 1 mA at 10 VDC |