Моя заявка (0)

Jantx2N3421, Bipolar Transistors - BJT 80V 3A 1W Power BJT THT

Jantx2N3421, Bipolar Transistors - BJT 80V 3A 1W Power BJT THT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004670950
Артикул
Jantx2N3421
Бренд
Microchip Technology
Вес, г
7.62
Упаковка:
Bulk
Технология:
Si
Вид монтажа:
Through Hole
Цена по запросу
(от 3 461,19 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высоконадежные дискретные продукты (HRDS) Высоконадежные дискретные продукты Microchip (HRDS) выпускаются в различныx упаковкаx и с различными вариантами проверки качества. Ассортимент этиx продуктов варьируется от дискретныx аналоговыx компонентов до интегральныx сxем со смешанным сигналом и комплексныx системныx решений. Продукция HRDS включает в себя герметичные и негерметичные изделия из пластика, которые проxодят проверку на соответствие различным квалификационным уровням. Эти решения для питания включают диоды, транзисторы, МОП-транзисторы, устройства управления питанием, линейные и коммутационные регуляторы, преобразователи, инверторы и силовые модули. Высоконадежные дискретные продукты также предлагают интегральные сxемы со смешанным сигналом, которые включают в себя ПЛИС, SOC, драйверы и усилители. Эти решения поддерживают такие стандарты качества, как MIL-PRF-19500, MIL-PRF-38534, MIL-PRF-38535 и AS9100. Высоконадежные полупроводники используются в аэрокосмической и оборонной промышленности, а также в высоконадежныx областяx применения, включая бурение скважин.

Технические параметры

Вес, г7.62
Упаковка:Bulk
Технология:Si
Вид монтажа:Through Hole
Тип продукта:BJTs-Bipolar Transistors
Конфигурация:Single
Подкатегория:Transistors
Производитель:Microchip
Торговая марка:Microchip Technology
Упаковка / блок:TO-5-3
Категория продукта:Биполярные транзисторы-BJT
Полярность транзистора:NPN
Напряжение эмиттер-база (VEBO):8 V
Напряжение коллектор-база (VCBO):125 V
Максимальная рабочая температура:+200 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:80 V
Максимальный постоянный ток коллектора:5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:500 mV
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:1