Моя заявка (0)

JANTX2N2907AUB, 60V 500mW 100@150mA,10V 600mA PNP - BIpolar TransIstors - BJT

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061907124
Артикул
JANTX2N2907AUB
Бренд
Microchip Technology
Grade
Military
Brand:
Microchip/Microsemi
Packaging:
Waffle
Вес, г
0.06
Цена по запросу
(от 1 130 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный (BJT) транзистор PNP 60 В 600 мА 500 МВт для поверxностного монтажа UB

Технические параметры

GradeMilitary
Brand:Microchip/Microsemi
Packaging:Waffle
Вес, г0.06
Power - Max500 mW
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Microchip
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
QualificationMIL-PRF-19500/291
Configuration:Single
Package / Case4-SMD, No Lead
Mounting Style:Through Hole
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Operating Temperature-65°C ~ 200°C(TJ)
Factory Pack Quantity:1
Pd - Power Dissipation:500 mW
Supplier Device PackageUB
DC Current Gain hFE Max:300
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Continuous Collector Current:600 mA
Maximum DC Collector Current:600 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)600 mA
Maximum Operating Temperature:+200 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:50
Current - Collector Cutoff (Max)50nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60 V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)600

Техническая документация